В 2022 году мы расширили свой продуктовый портфель такой ходовой продукцией, как микросхемы памяти. На текущий момент готовы предложить под любой запрос клиента аналоги труднодоставаемых брендов микросхем памяти в России. Это микросхемы энергонезависимой памяти (ПЗУ) и энергозависимой (ОЗУ).
Линейка поставляемых нами микросхем памяти и их производители:
Тип памяти |
Производители |
EEPROM память | Puya Semiconductor |
Fudan Microelectronics | |
NOR Flash SPI | Puya Semiconductor |
Zbit Semiconductor | |
Fudan Microelectronics | |
Giga Device | |
NAND Flash SPI/Parallel | Giga Device |
Fudan Microelectronics | |
MRAM память | Netsol |
DRAM модули | SK Hynix |
Энергонезависимая память – это постоянные запоминающие устройства (ПЗУ). Они предназначены для хранения программ, констант, таблиц и других, не меняющихся или редко меняющихся данных.
В свою очередь они подразделяются на:
EEPROM (Erasable Programmable Read Only Memory)
Используется для текущего запоминания данных в процессе работы, при смене констант, настроек с автоматическим их сохранением при выключении питания.
Чаще всего малый объем памяти. Низкая цена. 100 000 циклов перезаписи.
Применение: в комплексе с микроконтроллером, журналирование, хранение различного рода настроек.
Flash память (NOR Flash, NAND Flash)
Обладает большей емкостью и меньшей ценой при пересчете на стоимость хранения одного байта информации, чем EEPROM. Предназначена для хранения программы (причем больше для чтения, чем записи). 10 000 циклов чтения/записи.
NOR Flash – Быстрое чтение, медленная запись, плохая масштабируемость.
Используется для хранения кода инструкции, которая требует выполнения, поскольку к ней можно получить произвольный доступ с высокой скоростью.
NAND Flash – хорошая масштабируемость, быстрая запись, низкая стоимость.
NAND применяется для хранения данных, таких как: изображения, видео, аудио и т. д.
MRAM / FRAM (Магниторезистивная/Сегнетоэлектрики). Их отличает высокая скорость, энергонезависимость, высокая цена. Находится на пересечении ОЗУ и ПЗУ.
Применение – регистрация данных (автомобильные/навигационные системы), счетчики, системы контроля доступа.
Энергозависимая память – это оперативные запоминающие устройства (ОЗУ, Random Access Memory (RAM)).
Подразделяются на:
SRAM – статическая память.
Для хранения данных используется транзисторная схема.
Высокая скорость, высокая цена.
Применение: кэш процессора/жесткого диска, ЦАП для видеообработки.
DRAM – динамическая память.
Использует конденсаторы для хранения битов, поэтому ее необходимо обновлять (считывать и вновь записывать).
Меньше скорость, ниже цена, больше потребление.
Применение: системная память, видеографическая память.
SDRAM – синхронное динамическое ОЗУ (работает синхронно с тактовой частотой процессора). Может читать новую инструкцию, пока прошлая не закончилась, скорость работы растёт.
DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM, DDR4 SDRAM – повышение производительности за счет тактовой частоты, обработки сигналов и ёмкости памяти.
Модули памяти DIMM (Dual In-line Memory Module) - двусторонний модуль памяти. Контакты с двух сторон. Наличие встроенной ECC. Пришли на смену SIMM.
UDIMM (Unregistered dual in-line memory module), небуферизованая память. Нет коррекции ошибок, более быстрые и дешевые. Применение - для дома.
RDIMM – Registered DIMM, есть коррекция ошибок (буква R – буферный регистр). Используется в серверах.
LRDIMM (Load-Reduced Dual Inline Memory Module или «DIMM со сниженной нагрузкой») – тип модулей памяти, поддерживаемых серверными платформами с 2012 года. Увеличенная ёмкость и быстродействие. Применение - в серверах.
SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) — двойной встроенный модуль памяти малого размера. Применяется в ноутбуках, устройствах для дома.
Уточнить технические вопросы, заказать образцы и получить коммерческое предложение, вы можете:
– по телефону 8 (800) 555-38-86 (Россия), 8 (727) 313-17-41 (Казахстан);
– нажав кнопку «Обратный звонок» на сайте;
– написав на info@auroraevernet.ru или Вашему менеджеру.